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FF1200R17KE3_B2

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FF1200R17KE3_B2PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商:Infineon
  • 產品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:Dual Dual Collector Dual Emitter
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO:1700 V
  • 在25 C的連續集電極電流:1700 A
  • 最大工作溫度:+ 125 C
  • 封裝 / 箱體:IHM130
  • 柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V
  • 最小工作溫度:- 40 C
  • 安裝風格:SMD/SMT
  • 工廠包裝數量:2
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